使用NI PXI源测量单元开发高通道数解决方案

电子设计 2019-08-02 08:14 次阅读
秒速时时彩 检测、为(RFIC)供电。

使用NI PXI源测量单元开发高通道数解决方案

2. 通道密度

NI SMU在单个4U机架空间提供了高达68个SMU通道。

相对于传统台式SMU,NI SMU可提供更高的通道密度,如图1所示,单个4U机架空间可提供17或68个SMU通道。NI SMU小巧的组成结构使其成为创建高引脚数测试系统或紧密集成的混合信号测试系统的理想选择。 例如,您可以仅使用NI PXIe-4139系统SMU来构建高亮度所需的平行测试系统,也可将SMU与其他基于PXI的设备配合使用,在单个PXI机箱内构建集成式RF功率放大器测试系统。

使用NI PXI源测量单元开发高通道数解决方案

秒速时时彩 图1. 在单个18槽PXI机箱中结合了高达17个PXI SMU通道。

无论从密度和集成的角度来看,使用台式仪器构建高密度或混合信号测试系统要比使用模块化平台更具挑战性。 传统台式仪器在4U机架空间提供了8个SMU通道,而NI SUM则在单个PXI机箱相同的空间内提供了17个通道,其具有相似的功率范围。 PXI平台还通过在单个PXI机箱共享定时和同步简化了多个SMU和其他仪器之间的集成。 集成式触发路由与NI SMU的板载硬件序列引擎相结合,可帮助您轻松地在多个SMU或其他仪器之间共享事件和触发,无需任何外部接线。

秒速时时彩 3. 高速源和测量功能

NI基于PXI Express的SMU提供了所需的灵活性来执行高速和高精度直流测量,可改变测量的间隙时间。 短测量空隙时间让您可将SMU用作为采样率高达1.8 MS/s的数字化仪,而宽测量间隙时间则能够让您以高达10 fA的电流分辨率进行高精度测量。

精度

NI SMU能够以高达10 fA的电流灵敏度执行高精度测量。 高精度测量需要的间隙时间必须使SMU的模数转换器具有足够的时间来集成信号并应用噪声抑制滤波器。 SMU的空隙时间通常是指电源线周期数(NPLC),通常默认为使用1个NPLC来滤除电源线路引起的噪声(60 Hz或50 Hz)。

NI SMU结合了高精度和高速测量

NI SMU在各种间隙时间下提供了低噪声测量性能,即使高速运行时也是如此。 下图对NI PXIe-4139 系统SMU和传统台式SMU之间的测量性能进行了比较,这两个仪器都具有100 fA的电流灵敏度。 随着间隙时间(NPLC)的增加,SMU可在较长的时间内集成信号,并通过取平均值和滤波等技术降低噪声。

使用NI PXI源测量单元开发高通道数解决方案

秒速时时彩 图2. 电流测量噪声(A)为间隙时间的函数(NPLC)

秒速时时彩 这些数据列出了在不同间隙时间(0.001,0.01,0.1,1和2个NPLC)下两个SMU的RMS电流噪声,电流测量范围均为1A。 这两种仪器都以相同的时间间隔进行校准,以维持相同的测试参数。 以下两种情况下展示了NI SMU相比传统台式SMU的测量质量和速度。

比较相同测量间隙时间下的噪声性能

秒速时时彩 NI SMU在1 NPLC下的噪声为0.1~0.2μA,而传统台式SMU的噪声为10〜20μA。 这意味着NI SMU在相同的速度下的噪声减少了100倍,且在相同的电流范围内提供更好的测量精度。

秒速时时彩 比较相同电流噪声的测量速度

秒速时时彩 使用传统台式SMU,您可能需要更宽的空隙时间来满足测量的噪声需求。 但是,NI SMU在0.005 NPLC的噪声与传统台式SMU在1个完整NPLC的噪声相同,这意味着在测量速度方面有了100倍的提升。 这使您能够在维持同样测量性能的同时,显着降低整体测试时间。

高速采样和数据流

NI SMU相比传统台式SMU有着更高的采样率,因而SMU可用作高电压或电流数字化仪。 此外,NI SMU提供了快速的更新率以及可自定义的SMU响应,使您能够非常快速逐句调试序列或使用SMU来生成任意波形。 PC主机和SMU之间的直接DMA数据流避免了GPIB和以太网等传统总线接口相关的数据传输瓶颈,并确保您可以以SMU的最大更新速率读写大型波形。 下表显示了NI SMU与传统台式SMU的详细比较。

使用NI PXI源测量单元开发高通道数解决方案

秒速时时彩 NI SMU的数字化仪功能对于捕获SMU响应的详细瞬态特性或分析线性和负载瞬态等待测设备的行为特性至关重要。 如果没有这个功能,就需要一个外部。

使用NI PXI源测量单元开发高通道数解决方案

图3. NI SMU提供了比传统台式SMU更高的采样率。

上图显示了SMU生成了一个电流脉冲,并以20 kS/s和1.8 MS/s的速率采样输出数据。NI SMU 1.8 MS/s的采样率可提供详细的脉冲瞬态特性,并确保SMU响应没有任何过冲或振动

4. 可自定义的瞬态响应 - NI SourceAdapt技术

SourceAdapt技术使您能够优化任意负载的SMU响应,即使是高感性或高容性负载。 新一代SMU技术可实现数字控制循环,而不是传统模拟数字循环,这样您可以完全自定义SMU的瞬态响应。

秒速时时彩 传统SMU的局限性

秒速时时彩 SMC采用闭环反馈控制来确保所设置的电源值(设定值)正确地施加到待测负载上。 传统的SMU使用模拟硬件来实现控制循环,但是这种方式有得有失。 例如,专为高速测试而设计的高带宽SMU通常不适合测试需要高稳定性的高容性负载。 另一方面,针对高容性负载而设计的SMU并一定适用于高速测试。 事实上,大多数传统源测量单元的设计都为了高速测试或高稳定性测试。 即使如此,获得最佳响应仍然十分困难,因为设计出能够为不同负载提供正确响应的是极其困难的一件事。

SourceAdapt的优势

SourceAdapt技术可帮助您针对特定负载自定义调谐SMU响应,从而从根本上解决这个问题。 这提供了最佳的SMU响应和最低的建立时间,从而减少了等待时间和和测试时间,避免了过冲和振荡,进而保护了DUT和确保了系统稳定性。 由于SMU响应的调谐是通过编程完成的,因此针对高速测试配置的SMU可轻松针对高稳定性测试进行重新配置——从而最大化测试设备的投资回报和获得更好的结果。

使用NI PXI源测量单元开发高通道数解决方案

图4. SourceAdapt技术可实现自定义响应,以获得最大稳定性和最小上升时间。

5. 软件优势

是一个兼容IVI的仪器驱动,为、和 提供了一个软件前面板、范例程序集和一个综合API。 仪器软件前面板是进行单点IV测量或为设备连续供电的理想之选。 内置范例提供了现成的程序来生成一个或两个SMU通道的输出序列以及绘制响应图表。 这些范例程序演示了从简单的源测量配置到高级半导体组件扫频和IV特性分析等各种概念。 范例通常作为软件中大型或高度自定义项目或者测试序列的构建块。

使用NI PXI源测量单元开发高通道数解决方案

图5. 使用改进的用户界面分析特性的范例程序

秒速时时彩 NI SMU针对LabVIEW、LabWindows/CVI和Measurement Studio等编程环境进行了优化。 开发和测试的紧密集成可确保NI SMU提供了比传统第三方台式仪器更出色的用户体验。 用户可以通过一种编程语言来使用NI SMU的所有功能,而不是使用各种可编程仪器的标准指令(SCPI)、LabVIEW VI和/或脚本语言。 下表列出了NI SMU的部分软件特性:

内置测量选板

范例程序

秒速时时彩 集成了详细的LabVIEW帮助文档

全面的错误处理和消息

SMU到主机之间的透明数据流

6. 下一步

秒速时时彩 NI SMU提供了各种硬件选项和灵活软件,专为解决各种实验特性分析和自动化测试应用需求而设计。 NI SMU在紧凑的外形结构中提供了传统台式SMU的测量质量,使您能够在单个PXI机箱中构建高达68个通道的高通道数系统。 SourceAdapt等技术可确保SMU针对纯阻性到高容性等任意负载生成快速稳定的响应。


收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

瑞萨美国模拟芯片大厂IDT,展示双方技术的系统级解决方案

5月28日,瑞萨电子2019产品及系统方案研讨会——厦门站正式召开。在此次活动上,瑞萨不仅展示了自己....
的头像 芯智讯 发表于 08-08 04:27 190次 阅读

安谋停止和华为合作,竞争对手RISC-V也积极串连

5月28日,安谋IP产品事业群总裁雷内.哈斯(Rene Haas)在君悦酒店接受《财讯》专访,他首次....
的头像 芯智讯 发表于 08-07 17:39 255次 阅读

4种常见机器故障如何破?新一代状态监控解决方案

半导体技术和能力的进步为工业应用(特别是状态监控解决方案)检测、测量、解读、分析数据提供了新的机会。
的头像 亚德诺半导体 发表于 08-07 17:38 418次 阅读

意法半导体推出灵活的数字功率因数控制器

STNRGPF12是意法半导体的双通道交错式升压PFC控制器,兼备数字电源的设计灵活性和模拟算法的快....
的头像 半导体界 发表于 08-07 17:05 349次 阅读

开发者在一起如何改变世界?科技的影响为何如此巨大?

6月19日,一年一度的新思科技开发者大会在上海互联宝地拉开帷幕。今年的开发者大会对新思科技来说更具时....
的头像 芯智讯 发表于 08-07 17:04 143次 阅读

长三角“包邮区”芯片的往事:苏南内衣厂的芯片逆袭之路

一张世界半导体大会的展位图,揭开了长三角“包邮区”的芯片之城的暗战。
的头像 芯智讯 发表于 08-07 16:47 197次 阅读

日本正式对向韩国出口的多达857种重要原材料进行管制 韩国计划5年内实现国产自主

上周日本政府内阁会议通过了第二波禁韩令,将韩国彻底从对外贸易白名单名录移除。今天日本方面正式公布了这....
的头像 半导体动态 发表于 08-07 16:19 96次 阅读

Describes how to generate and measure jitter with the 81133/34A and 54855A...
发表于 08-07 14:26 17次 阅读

LG显示首席技术官Kang In-byeong正在测试中国的氟化氢

据BusinessKorea报道,LG显示首席技术官Kang In-byeong于7月9日表示,由于....
的头像 MCA手机联盟 发表于 08-07 14:24 90次 阅读

白宫:华为“禁令”未解除,不危及“国家安全”的产品可获出口许可

6月30日,美国白宫经济顾问拉里·库德洛(Larry Kudlow)在当天接受福克斯新闻网采访时称,....
的头像 芯智讯 发表于 08-07 11:45 353次 阅读

ASML研发第二代EUV光刻机的微缩分辨率、套准精度提升了70%

据韩媒报道称,ASML正积极投资研发下一代EUV光刻机,与现有光刻机相比,二代EUV光刻机最大的变化....
的头像 芯智讯 发表于 08-07 11:24 318次 阅读

详细介绍华为麒麟810芯片

继不久前首款搭载麒麟810芯片的手机新品——华为nova 5正式发布之后,7月8日,在荣耀9X发布之....
的头像 芯智讯 发表于 08-07 10:40 169次 阅读

日本限制半导体材料出口,那么会对韩国影响到底有多大?

7月9日消息,据路透社报道,在本月初日本宣布对韩国限制出口相关半导体原材料之后,目前韩国芯片制造商正....
的头像 芯智讯 发表于 08-07 10:35 526次 阅读

丰田宣布将与电装成立一家合资公司,生产汽车用半导体芯片

据外媒最新消息,7月10日,全球最大汽车厂商日本丰田公司和其零部件供应商电装(Denso)公司宣布,....
的头像 芯智讯 发表于 08-07 10:17 110次 阅读

电子元器件筛选方案有哪些?

电子元器件的固有可靠性取决于产品的可靠性设计,因此,应该在电子元器件装上整机或设备之前,就要设法尽可....
的头像 贸泽电子设计圈 发表于 08-07 09:59 182次 阅读

详细介绍Intel三项全新芯片封装技术

作为芯片制造过程的最后一步,封装在电子供应链中看似不起眼,却一直发挥着极为关键的作用。作为处理器和主....
的头像 芯智讯 发表于 08-07 09:16 137次 阅读

永太联手佳陞,拟合资设立平板显示、半导体材料公司

公告显示,合资公司组织形式拟为有限责任公司,注册地点拟定于浙江省台州市,拟定永太科技出资不低于 51....
的头像 Midifan 发表于 08-07 09:15 225次 阅读

NE555脉冲发生器的C语言程序和工程文件免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是NE555脉冲发生器的C语言程序和工程文件免费下载 产生一定脉冲的方波。
发表于 08-07 08:00 8次 阅读
NE555脉冲发生器的C语言程序和工程文件免费下载

随着工艺技术向65nm以及更小尺寸的迈进,出现了两类关键的开发问题:待机功耗和开发成本。这两个问题在每一新的工艺节点上都非常...
发表于 08-07 07:17 23次 阅读

与2018年相比 今年上半全球半导体销售额下降14.5%

半导体行业协会(SIA)的一份最新报告显示,2019年第二季度全球半导体销售额达到982亿美元。虽然....
的头像 渔翁先生 发表于 08-07 01:15 790次 阅读

中国在存储领域正在一步步追赶国际水平

在存储领域,国产厂商一直没有太多发言权,但如今随着中国半导体存储的不断发展,已经取得了相当不俗的成就....
发表于 08-06 16:25 110次 阅读
中国在存储领域正在一步步追赶国际水平

江丰电子正在筹划购买Silverac Stella100%股权

8月5日晚间,江丰电子发布公告称,公司正在筹划发行股份及支付现金购买Silverac Stella(....
的头像 Qorvo半导体 发表于 08-06 15:31 252次 阅读

南大光电用现金收购取得山东飞源气体有限公司57.97%股权

日前,电子材料企业南大光电发布公告称,为进一步优化资源配置,提高公司盈利能力,拟采用现金收购及增资方....
的头像 新材料在线 发表于 08-06 15:26 275次 阅读

上半年陕西电子信息制造业总产值同比增长35.1%

据陕西日报报道,受益于中兴智能终端产能恢复、以及重大项目产能开始释放等因素,上半年陕西省电子信息制造....
的头像 新材料在线 发表于 08-06 15:14 199次 阅读

54家企业加入 深圳市宝安区半导体行业协会成立

7月31日,深圳市宝安区半导体行业协会在“2019年第三代半导体投资合作高峰论坛”上正式成立,目前已....
的头像 半导体前沿 发表于 08-06 15:11 133次 阅读

NI助力SkySafe开发商用无人机防御系统

无论是亚马逊使用无人机递送包裹,还是奥运会滑雪项目启用无人机自动跟拍,商用无人机正变得无处不在。
发表于 08-06 14:26 41次 阅读
NI助力SkySafe开发商用无人机防御系统

1.26亿元露笑蓝宝石与国宏中宇合作 第三代半导体发展新机遇

8月4日晚间,露笑科技发布公告称,全资子公司内蒙古露笑蓝宝石近日与国宏中宇科技发展有限公司签订了《碳....
的头像 半导体界 发表于 08-06 11:42 411次 阅读

114.8亿元的12个半导体集成电路及ICT产业项目签约徐州

日前结束的中国·徐州2019半导体集成电路产业金龙湖峰会取得丰硕成果,总投资114.8亿元的12个半....
的头像 半导体前沿 发表于 08-06 11:20 166次 阅读

多个半导体项目落户徐州 总投资达114.8亿元

日前结束的中国·徐州2019半导体集成电路产业金龙湖峰会取得丰硕成果,总投资114.8亿元的12个半....
的头像 半导体动态 发表于 08-06 11:14 317次 阅读

多家芯片企业宣告量产 中国芯片不断发展

6月底,上海移芯通信发布了“四好”芯片EC616。上海移芯通信董事长兼CEO刘石解释说,所谓“四好”....
的头像 半导体前沿 发表于 08-06 11:13 334次 阅读

韩国宣布未来7年投资约64.8亿美元进行研发 以减少对日本进口产品的依赖

韩国周一宣布,计划未来7年投资约7.8万亿韩元(约合64.8亿美元)进行研发,以促进高科技材料和设备....
的头像 半导体动态 发表于 08-06 11:11 235次 阅读

江丰电子停牌筹划重组拟收购溅射靶材同行

8月5日晚间,江丰电子发布公告称,公司正在筹划发行股份及支付现金购买Silverac Stella(....
的头像 新材料在线 发表于 08-06 10:56 221次 阅读

半导体是世界上最成功的公司之一,前十半导体公司有那些?

半导体无处不在。随着电子设备的激增,制造半导体的公司继续蓬勃发展。他们已经是世界上最成功的公司之一。
的头像 ssdfans 发表于 08-06 10:12 1201次 阅读

电子零件订单呈现减速,车用半导体市场年成长率疲弱

据日经新闻26日报导,被视为全球景气领先指标的电子零件订单呈现减速,因智能手机用需求持续低迷,加上车....
的头像 半导体观察IC 发表于 08-06 09:58 91次 阅读

由于感测技术的数量之多,半导体容量在汽车中不断增加。在十年的时间里,传感器的数量在所有传感器类型中稳步增长。这种趋势可能...
发表于 08-06 04:45 55次 阅读

2019全球半导体营收下滑,创十年来最大跌幅!

优惠政策撞上下行的市场大趋势,起步中的中国集成电路产业未来充满变数
的头像 世强SEKORM 发表于 08-05 18:07 792次 阅读

NI毫米波收发仪系统助力智能网联汽车5G应用

随着5G商用落地指日可待,汽车行业也做好了衔接5G的准备。汽车行业已经广泛认可5G将成为开发和部署自....
发表于 08-05 16:19 87次 阅读
NI毫米波收发仪系统助力智能网联汽车5G应用

全芯世代半导体层膜项目落户山东日照经济技术开发区 总投资11亿元

近日,山东日照经济技术开发区与台湾双志世代国际有限公司签订合作协议,全芯世代半导体层膜项目落户开发区....
的头像 半导体动态 发表于 08-05 15:39 128次 阅读

台基股份募资7亿元投资功率半导体 将引入两大国资背景战投

今年3月,台基股份发布关于筹划非公开发行股票的提示性公告,如今预案终于出炉。根据预案,这次非公开发行....
的头像 半导体动态 发表于 08-05 15:31 720次 阅读

碳纳米管+RRAM+ILV 3DIC缘起!会否改变半导体行业?

日前,麻省理工学院助理教授Max Shulaker在DARPA电子复兴倡议(ERI)峰会上展示了一块....
的头像 GaN世界 发表于 08-05 15:08 208次 阅读

嗨ST伙计们, 在NDEF规范中,读和写访问字节为0x00和0xFF。 0x80是ST专有的吗?任何其他公司都可以使用它吗?...
发表于 08-05 13:22 217次 阅读

2019年汽车半导体市场基本情况分析

iHS Markit日前将2019年全球新车销售量预估值下修至9,100万台、将年减2%,原先则是预....
的头像 墨记 发表于 08-05 12:14 2564次 阅读

2019年功率器件何以在“跌”声中“维稳”?

从今年上半年来看,功率器件价格稳中有跌。汽车级、高性能的工业级产品由于供应厂商有限,价格依然坚挺。但....
发表于 08-05 11:31 229次 阅读
2019年功率器件何以在“跌”声中“维稳”?

韩国半导体寻求替代货源,三星测试中国产氟化氢不知可否替代货源?

目前日本政府对韩国实行出口管制的对象主要包括氟聚酰亚胺、光刻胶及蚀刻气体(氟化氢)这3类半导体关键材....
的头像 MCA手机联盟 发表于 08-05 11:26 1046次 阅读

e络盟与Dialog半导体签署新的经营协议,进一步拓展了无线产品线

Dialog半导体全球销售高级副总裁Tom Sandoval认为: “我们很高兴与e络盟建立新的合作....
的头像 易络盟电子 发表于 08-05 11:18 122次 阅读

盘点紫光集团非凡的历史重任,“清华校企”的前世今生

和多数筚路蓝缕的本土芯片企业不同,千亿资本并购和高端芯片布局赋予了紫光集团非凡的历史重任,本文为您起....
的头像 芯智讯 发表于 08-05 09:25 1166次 阅读

Vishay 创新半导体和无源元件,引领产业风潮

TPC11CA 到 TPC36CA 表面贴装 PAR 瞬态电压抑制器是符合 AEC-Q101 标准的....
的头像 易络盟电子 发表于 08-05 09:06 204次 阅读

美国科技提出被列入“黑名单”的华为出售产品的豁免申请

7月25日消息,报道外媒称,美国商务部长罗斯7月23日对彭博电视表示,特朗普政府计划在未来几周内处理....
的头像 芯智讯 发表于 08-05 08:54 1181次 阅读

  电源模块是整个电路的重要组成部分,直接关系到电路能否正常工作,我们首先确定输入的电压是经过稳压的+6V直流电源...
发表于 08-05 08:26 19次 阅读

模拟电子技术的经典电子书教程和基础知识资料免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是模拟电子技术的经典电子书教程和基础知识资料免费下载包括了:帮你学模拟电子....
发表于 08-05 08:00 35次 阅读
模拟电子技术的经典电子书教程和基础知识资料免费下载

韩国对日进口依赖超90%,对日本进口依赖超50%达158.5亿美元

去年韩国对日进口依赖超90%的产品共48项,其总进口额达27.8亿美元。韩国共从日本进口产品4227....
的头像 芯智讯 发表于 08-04 10:46 786次 阅读

e络盟迎合市场需求推动电子产品设计创新

e络盟近期推出的全新网站平台就进行了多项改进。据朱伟弟介绍,这些改进的功能包括:同页显示多个封装选择....
的头像 易络盟电子 发表于 08-04 10:41 1100次 阅读

半导体设备是电子产品核心元件,占市场的 83%

回忆过往,我国的科技创新能够克服从无到有的困难;展望未来,也必然有信心突破核心技术的瓶颈。半导体设备....
的头像 芯智讯 发表于 08-04 10:35 866次 阅读

台湾半导体产业园项目签约落户江苏省

7月31日下午,台湾半导体产业园项目签约落户江苏省句容经济开发区,标志着园区新一代半导体产业建设取得....
的头像 Dialog半导体公司 发表于 08-03 11:42 564次 阅读

日韩互移白名单 日本方面称并非针对韩国半导体产业

根据全球市场研究机构集邦咨询TrendForce表示,日本7月1日宣布对韩国强化出口管理,首先对3项....
的头像 半导体动态 发表于 08-03 11:34 1114次 阅读

       不是所有的半导体生产厂商对所有的器件都需要进行老化测试。普通器件制造由于对生产制程比较了解,因...
发表于 08-02 17:08 120次 阅读

镓(Ga) 是一种化学元素,原子序数为31。镓在自然界中不存在游离态,而是锌和铝生产过程中的副产品。GaN 化合物由镓原子和氮原...
发表于 08-01 07:24 78次 阅读

在一些要求高可靠性的应用场合,希望功率半导体器件可以稳定运行30年以上。为了达到这个目标,三菱电机开发了X系列高压IGBT...
发表于 07-30 06:01 35次 阅读

合著者Miro Oljaca与Tattiana Davenport   固态继电器(SSR)是用于负荷通/断控制的半导体型装置。通常用于SS...
发表于 07-30 04:45 122次 阅读

作者: Robert Gee Maxim Integrated核心产品事业部执行业务经理 在半导体测试领域,管理成本依然是最严峻的挑战之一,因...
发表于 07-29 08:11 32次 阅读

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 793次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 91次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
发表于 01-08 17:51 107次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 126次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 168次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 83次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 125次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 184次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
发表于 01-08 17:51 709次 阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 115次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 103次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 162次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 139次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
发表于 01-08 17:51 197次 阅读
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
发表于 01-08 17:51 187次 阅读
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
发表于 01-08 17:51 245次 阅读
TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 188次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 143次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 160次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 130次 阅读
LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器